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uv光催化氧化設(shè)備

uv光催化氧化設(shè)備半導體光催化劑大多是n型半導體材料(當前以TiO2使用廣泛)都具有區(qū)別于金屬或絕緣物質(zhì)的特別的能帶結(jié)構(gòu),即在一個價帶和導帶之間存在一個禁帶,。由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區(qū)域,。
產(chǎn)地:河北省>泊頭市
供應商:滄州程卓環(huán)保機械設(shè)備有限公司
電話:18730756036

uv光催化氧化設(shè)備詳細內(nèi)容

uv光催化氧化設(shè)備采用世界上較_技術(shù)理念,通過_及我公司工程技術(shù)人員長期反復的試驗,開發(fā)研制出的,,具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高科技凈化產(chǎn)品可分解工業(yè)廢氣中有毒有害物質(zhì),并能達到脫臭,、凈化效果,,經(jīng)分解后的工業(yè)廢氣,可達到化排放,,不產(chǎn)生二次污染,,同時達到的作用。
uv光催化氧化設(shè)備采用高強度納米紫外線破壞,、分解大分子鏈為小分子鏈,,再利用臭氧和羥基自由基氧化、催化劑進行催化氧化,,使有機物變?yōu)樗投趸?,以達到去除有機物的目的。
半導體光催化劑大多是n型半導體材料(當前以TiO2使用廣泛)都具有區(qū)別于金屬或絕緣物質(zhì)的特別的能帶結(jié)構(gòu),即在一個價帶和導帶之間存在一個禁帶,。
由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區(qū)域,。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基,。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數(shù)的有機物氧化至產(chǎn)物CO2和H2O,甚至對一些無機物也能分解,。
uv光催化氧化設(shè)備性能優(yōu)勢
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1,、除惡臭:能去除揮發(fā)性有機物(VOC)、無機物,、硫化氫,、氨氣、硫醇類等主要污染物,,以及各種惡臭味,,脫臭效果大大_1993年頒布的惡臭污染物排放標準(GB14554-93)和1996年頒布的《大氣污染物綜合排放標準》(GB16297-1996)。
2,、無需添加_物質(zhì):只需要設(shè)置相應的排風管道和排風動力,,使惡臭/工業(yè)廢氣通過本設(shè)備進行脫臭分解凈化,無需添加_物質(zhì)參與化學反應,。
3,、適應性強:GY-系列惡臭氣體(工業(yè)廢氣)UV光解廢氣凈化設(shè)備可適應高濃度,大氣量,,不同工業(yè)廢氣物質(zhì)的脫臭,、凈化處理,可每天24小時連續(xù)工作,,運行穩(wěn)定可靠,。
4、運行成本低:GY-系列惡臭氣體(工業(yè)廢氣)UV光解廢氣凈化設(shè)備無_機械動作,,無噪音,,無需專人管理和日常維護,只需作定期檢查,,本設(shè)備能耗低,,設(shè)備風阻級低<50pa,可節(jié)約大量排風動力能耗。
5,、設(shè)備占地面積小,,自重輕:適合于布置緊湊、場地狹小等條件,,設(shè)備占地面積<1平方米/處理10000m3/h風量,。
6、進口材料制造:防火性能高,,設(shè)備性能穩(wěn)定,采用不銹鋼材質(zhì),,設(shè)備使用壽命在十五年以上,。
7、防爆認證產(chǎn)品:設(shè)備具有,、防爆特性,,已通過防爆電器產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心的Ex防爆合格認證(證書編號:CNEx13.0792 X),,能廣泛應用于采油(氣)田、石油化工,、制藥等防爆要求高的行業(yè),。

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uv光催化氧化設(shè)備半導體光催化劑大多是n型半導體材料(當前以TiO2使用廣泛)都具有區(qū)別于金屬或絕緣物質(zhì)的特別的能帶結(jié)構(gòu),即在一個價帶和導帶之間存在一個禁帶。由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區(qū)域,。

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